Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SPB35N10 G
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPB35N10 G-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
Förfrågan Online
12806524
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPB35N10 G Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
44mOhm @ 26.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 83µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1570 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
SPB35N
Datablad och dokument
Datasheets
SPB35N10 G
HTML-Datasheet
SPB35N10 G-DG
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP000102172
SPB35N10GXT
SPB35N10 G-DG
SPB35N10G
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STB30NF10T4
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
971
DEL NUMMER
STB30NF10T4-DG
ENHETSPRIS
0.66
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IRF540NSTRLPBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
7309
DEL NUMMER
IRF540NSTRLPBF-DG
ENHETSPRIS
0.52
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FQB44N10TM
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
800
DEL NUMMER
FQB44N10TM-DG
ENHETSPRIS
0.96
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FDB3682
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
401
DEL NUMMER
FDB3682-DG
ENHETSPRIS
0.92
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF7832TR
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
IRL3803LPBF
MOSFET N-CH 30V 140A TO262
SPW11N60CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3
IRLR9343-701PBF
MOSFET P-CH 55V 20A IPAK